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产品分类
  • 产品名称: 锑化铟(InSb)薄膜磁敏电阻SMR芯片
  • 产品编号: A01

 

      锑化铟薄膜磁敏电阻是本公司的核心产品,是磁敏电阻类传感器的核心敏感元件。其阻值R随垂直通过它的磁通密度B的变化而变化。利用此特性可方便地以磁场为媒介,在非接触情况下将位移、位置、转速、角度等非电量转变成电量,从而对非电量进行测量和控制。

 

产品简介
 

      锑化铟薄膜磁敏电阻是本公司的核心产品,是锑化铟薄膜磁敏电阻类传感器的核心敏感元件,它具有灵敏度高、可靠性高、性价比高、无接触测量、频响宽( 0 - 100kHz )、使用方便等特点。在如高速测量、角度控制、位置控制、信号跟踪等领域,采用锑化铟薄膜磁敏电阻传感器常常是理想的解决方案。

 

工作原理


      锑化铟薄膜磁敏电阻是利用锑化铟薄膜的磁阻效应而制作的一?#20013;?#22411;敏感元件,它的阻值R随垂直通过它的磁通密度B的变化而变化:B<0.1T时,R∝;B>0.1T时R∝B;B=0.3T时>2.0,如下图所示。利用此特性可方便地以磁场为媒介在非接触的情况下将非电量(如位移、位置、转速、角位移、压力、加速度等等)转变成电量,从而对非电量进行测量和控制。

磁阻随磁场强度变化曲线

 

产品内部芯片构成图


      锑化铟薄膜磁敏电阻的生产采用先进的薄膜生产及平面光刻工艺,其图形、尺寸、阻值可根据需要灵活设计。我公司现有磁敏电阻产品如下:


 

 

产品型号及参数

 

型号

尺寸(mm)

阻值(Ω)

灵敏度

工作温度

最大工作电流

不对称性

MR-L-1

3.8×1.8

1×(100~2000)

> 2.0

-20~80℃

< 15mA

 

MR-L-2A

4.5×3.5

2×(300~3000)

> 2.0

-20~80℃

< 15mA

< 10%

MR-L-2B

3.0×2.5

2×(300~3000)

> 2.0

-20~80℃

< 15mA

< 10%

MR-L-2C

7.6×1.8

2×(300~3000)

> 2.0

-20~80℃

< 15mA

< 10%

MR-L-4

4.6×4.0

4×(300~3000)

> 2.0

-20~80℃

< 15mA

< 10%

MR-R-2

5.0×4.0

2×(800~3000)

> 2.0

-20~80℃

< 15mA

< 10%

 

产品特点


       无接触测量  体积微小
       高信躁比  高可靠性
       频响宽(0-100kHz)

 


参数含义

 

 

典型磁敏电阻芯片实例

 

 

技术服务
 

       1、本公司可根据用户的要求订制各种规格的锑化铟薄膜磁敏电阻,并组装成传感器。
       2、本产品的封装及引脚方式可根据用户的要求而设计。

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